Guerre des trois géants de la mémoire IA : Comment Micron, Samsung et SK Hynix vont-ils réécrire le paysage des semi-conducteurs en 2026 ?

2026 年 6 月 24 日，全球资本市场经历了一场剧烈的震荡。

前一晚，美股科技板块遭遇重挫——纳斯达克指数跌 2.21%，费城半导体指数暴跌超 7%，美光科技（Micron）盘中一度跌超 13%。韩国股市更是在 6 月 23 日遭遇恐慌性抛售，KOSPI 指数暴跌 9.99%，三星电子与 SK 海力士双双跌约 12%。

然而仅仅 24 小时后，局面彻底逆转。6 月 24 日盘后，美光科技公布 2026 财年第三季度财报——营收同比增长约 346% 至 414.6 亿美元，净利润同比暴增近 15 倍。盘后股价一度飙升 16% 至 1,214 美元。同一日，三星电子宣布拟斥资 90 万亿韩元（约合 680 亿美元）进行股份回购，股价大涨近 10%，收复 340,500 韩元关口；SK 海力士反弹 2.58%，收报 2,621,000 韩元。

这一戏剧性的转折并非偶然。它折射出一个正在加速演进的产业现实：AI 内存已不再是半导体行业的细分赛道，而是决定全球算力基础设施竞争力的战略制高点。 从 Micron 到三星，从 SK Hynix 到英伟达，一场围绕高带宽存储器（HBM）的全球军备竞赛正在全面展开。

而更重要的是，对于全球投资者而言，这场竞赛不再遥不可及。2026 年 6 月，Gate 正式上线真实股票交易功能，用户可直接使用 USDT 在平台内交易美光、三星电子、SK 海力士等主流证券市场的股票与 ETF 资产。这意味着，从加密资产到全球科技龙头的投资通道，已被彻底打通。

HBM：AI 时代的“算力血液”

要理解这场竞赛的底层逻辑，首先需要理解 HBM 在 AI 算力体系中的核心地位。

HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）通过 3D 堆叠技术将多个 DRAM 裸片垂直整合，以极短的数据通路实现远超传统内存的带宽密度。在大模型训练与推理场景中，GPU 的算力再强，若内存带宽无法匹配，算力便会被“饿死”。正如行业分析所言，“AI 计算的有效性取决于为其供血的内存架构”。

摩根士丹利在一份研究报告中指出，HBM 的全球总容量已从 2020 年的约 10 TB 跃升至 2026 年的约 18 PB，增长幅度达数个数量级。SEMI 预测，2026 年全球 HBM 市场规模将增长 58% 至 546 亿美元，占整体 DRAM 市场的近四成。

更关键的是供需缺口。尽管三星、SK 海力士、美光三大原厂已将约 70% 的新增产能倾斜至 HBM，但产能缺口仍高达 50% 至 60%。三家供应商的全年产能早在 2026 年第一季度就已被全部预订，短缺状态预计将延续至 2028 年。HBM 已从一种“可以随时补货的商品”，升级为“全球人工智能军备竞赛中最稀缺的战略物资”。

三巨头竞争格局：谁在领跑，谁在追赶

根据市场研究机构 Counterpoint Research 发布的 2026 年第一季度数据，全球 DRAM 市场销售额份额分别为：三星电子 38%、SK 海力士 29%、美光 22%。三星自 2025 年第四季度重夺 DRAM 第一后，已连续两个季度保持领先。

但在 HBM 这一高价值细分市场中，格局则截然不同。

SK 海力士：守城者的优势与隐忧

2026 年第一季度，SK 海力士以 58% 的销售额份额稳居全球 HBM 市场第一。不过，这一数字较 2025 年同期的 69% 已下降 11 个百分点。TrendForce 预测，2026 年全年 SK 海力士的 HBM 份额可能进一步降至约 50%。

份额下滑并非因为 SK 海力士失去竞争力，而是竞争格局正在从“一家独大”走向“三足鼎立”。SK 海力士当前 HBM 业务营收占比已突破 40%，在 HBM 市场形成了显著的竞争优势。在产品节奏上，SK 海力士原计划在 2026 年下半年提供 HBM4E 样品，但已提前至 6 月至 7 月向主要客户交付。在 COMPUTEX 2026 上展示的 12 层堆叠 HBM4E 样品，单引脚速率最高可达 16 Gbps，单堆栈带宽高达 4 TB/s，较 HBM4 提升约 38%。

从股价表现来看，2026 年以来 SK 海力士股价累计涨幅超过 340%。汇丰研究维持“买入”评级，将目标价从 290 万韩元上调至 400 万韩元，认为 HBM 涨价将为 2026 年下半年与 2027 年带来强劲动能，潜在 ADR 上市亦是正面催化剂。

三星电子：从落后到反攻

三星电子在 HBM3E 时代经历了艰难时期——未能跨过英伟达质量认证门槛，2025 年第一季度将 DRAM 市场第一的位置让给了 SK 海力士。但从 HBM4 开始，局面出现逆转。

2026 年 2 月，三星在全球率先实现 HBM4 量产出货。5 月，三星又向全球客户供应首批 12 层堆叠、容量 48 GB 的 HBM4E 样品。据业界数据，HBM4 上市仅 4 个月，三星累计销售额便突破 10 亿美元。

三星在全球 HBM 市场的份额从 2025 年第一季度的 13% 升至 2026 年第一季度的 21%，增加了 8 个百分点。Counterpoint Research 预计，随着三星向英伟达供应 HBM4，其市场份额将逐步提高。TrendForce 则预测 2026 年全年三星 HBM 市占率约 28%。

从投资视角看，野村证券在 2026 年 6 月 25 日的报告中指出，三星电子股价为 34.05 万韩元，隐含上涨空间 96.8%。瑞银将三星目标价调高 45% 至 40 万韩元，评级“买入”。

美光科技：财报“炸裂”背后的结构性跃升

美光是这场竞赛中最令市场意外的变量。

2026 财年第三季度（截至 5 月 31 日），美光营收达到 414.6 亿美元，同比增长约 346%。非 GAAP 调整后每股收益达 25.11 美元，同比增长近 14 倍。公司表示，AI 系统性能越来越依赖于内存的性能与容量，这使内存从“大宗商品的附属品”转变为“战略性资产”。

在 HBM 市场，美光 2026 年第一季度的份额为 21%，与三星并列第二。TrendForce 预计美光 2026 年全年 HBM 市占率约 22%。尽管在份额上仍落后于 SK 海力士，但美光高达 81.6% 的季度营收增速表明其正在快速缩小差距。

花旗将美光目标价从 840 美元大幅上调至 1,200 美元，认为 DRAM 超级周期才刚开始。美光 2026 年 DRAM 位元产能增速预计仅为 42%，常规 DRAM 的供给刚性叠加 AI 数据中心需求的持续爆发，构成了看多美光的核心逻辑。

产能、技术与客户绑定：三维竞争

三巨头的竞争并非单纯的份额数字游戏，而是在产能、技术与客户绑定三个维度上全面展开。

产能层面，三家厂商已将大部分新增产能转向 HBM，但 50% 至 60% 的产能缺口意味着供给侧的紧张状态将持续。值得关注的是，SK 海力士近期被报道正在调整产能布局，缩减部分 HBM 扩产计划，转向通用 DRAM 市场——因为通用 DRAM 的盈利水平已实现反超。伯恩斯坦的测算显示，2026 年把产能分配给普通 DRAM，每片晶圆产生的营收是 HBM 的 2 倍以上，毛利接近 3 倍。

技术层面，HBM4E 已成为下一阶段竞争的核心节点。三星率先送样、SK 海力士提前跟进、美光加速追赶的节奏表明，谁能在 HBM4E 的量产验证中率先通过头部客户认证，谁就能在 2027 年的订单分配中占据先机。

客户绑定层面，英伟达仍然是决定胜负的关键变量。SK 海力士的 HBM4E 被认为有望进入英伟达下一代 AI 加速器“Rubin Ultra”平台。英伟达 CEO 黄仁勋在 COMPUTEX 期间参观 SK 海力士展位并在 HBM4E 晶圆上留言“请多生产一些”。与此同时，三星已成为向英伟达供应 HBM4 的首批企业。美光则凭借其在美国本土的产能优势，在北美数据中心客户中占据独特地位。

如何在 Gate 上交易 AI 内存三巨头的股票

对于希望参与这场 AI 内存军备竞赛的投资者而言，Gate 提供了一个前所未有的便捷通道。

Gate 股票交易功能概览

2026 年 6 月 1 日，Gate 正式上线真实股票交易服务，用户可直接使用 USDT 在平台内交易美国主流证券市场的股票与 ETF 资产。截至 2026 年 6 月，Gate 已支持超过 12,500 支股票及 ETF 资产，覆盖纽约证券交易所、纳斯达克等美国五大主流交易所。

对于本文聚焦的三家标的，Gate 已全面覆盖：

• 美光科技（Micron Technology） ：NASDAQ 代码 MU
• 三星电子（Samsung Electronics） ：韩国 KOSPI 代码 005930
• SK 海力士（SK Hynix） ：韩国 KOSPI 代码 000660

核心优势：为什么选择 Gate 交易股票

零持仓成本。 相比永续合约中的资金费率以及 CFD 产品中的掉期费、隔夜费等持仓成本，Gate 股票现货实现了 0 持有成本，没有资金费率、没有掉期费、没有隔夜费。

极低门槛的碎股交易。 Gate 股票交易支持最低 0.01 股的碎股交易，投资者可以用不足整股价款的金额参与投资。

USDT 直接结算，零汇率损耗。 不需要兑换韩元或美元，直接用 USDT 就能买入，卖出后直接结算为 USDT。

独立账户安全架构。 Gate 股票采用 Omnibus 综合账户架构，与合约账户、现货账户完全分开，资金单独管理。即便合约账户爆仓或现货账户出现亏损，股票账户资产不受影响。

一站式多市场交易。 一个账户，白天交易港股、下午关注韩股、晚上操作美股，资金在同一个资金池里无缝流转。

费率优惠。 Gate 股票已全面接入平台 VIP 等级体系，用户仅需持仓 2,000 美元即可晋级 VIP，享受股票交易最低 0.023% 的专属费率。

三步操作指南

第一步：准备账户与资金。 完成 Gate 账户注册与基础 KYC 认证。将 USDT 充值或划转至统一账户/交易账户。

第二步：进入股票交易板块。 在 App 顶部导航栏找到“金融/交易”→“股票（Stocks）”。

第三步：搜索并下单。 搜索对应股票代码——美光搜索“MU”，三星搜索“005930”，SK 海力士搜索“000660”。输入购买金额或股数，确认订单后即可完成交易。韩股交易时间为北京时间 08：00 - 14：30（中午不休市）。

当前时点：哪只股票更具潜力？

基于最新的市场数据与机构研报，三只标的在当前时点各具亮点：

美光科技（MU） ：花旗目标价 1,200 美元，较财报发布后股价仍有上涨空间。2026 年 DRAM 均价预计上涨 200%，全球存在 5% 的供给缺口，2027 年 HBM 价格继续攀升。美光预计 2026 全年资本支出将达约 270 亿美元，加速全球建厂与设备采购。

三星电子（005930） ：野村证券报告显示隐含上涨空间 96.8%。瑞银目标价 40 万韩元，评级“买入”。三星 2026 年 HBM 位元出货量可望年增三倍，达 112 亿 Gb。

SK 海力士（000660） ：汇丰研究目标价 400 万韩元，维持“买入”。HBM 营业利润率预计从 2026 年的约 57% 提升至 2027 年的约 70%。SK 海力士已向 SEC 提交保密文件，计划最早在 2026 年 8 月在纳斯达克发行 ADR，可能筹集约 140 亿美元。

值得注意的是，Gate 目前正在开展股票交易激励活动——新用户完成首笔股票交易（累计 500 USDT 的 SK 海力士或三星电子），即可共享 17,000 美元 SK 海力士股票奖励。交易量达标者还有机会获得最多 2 股 SK 海力士股票空投。

结语

从 Micron 的财报“炸裂”到三星的史诗级回购，从 SK 海力士的 HBM 守城到三巨头在 HBM4E 上的竞速，全球 AI 内存军备竞赛正在进入一个全新的阶段。

这场竞赛的本质，是算力民主化时代对基础设施层的一次重估。HBM 从 DRAM 的一个细分品类成长为 546 亿美元的战略级市场，内存从“按斤卖的硅片”升级为决定 AI 系统性能的“战略资产”。三巨头在产能、技术与客户三个维度的角力，不仅将决定未来三到五年全球半导体产业的权力格局，也正在为全球投资者创造前所未有的参与机会。

而对于加密市场的用户而言，Gate 的股票交易功能——支持 USDT 直接买卖、零持仓成本、碎股交易、独立账户安全架构——意味着参与这场 AI 内存投资浪潮的门槛已被降至前所未有的低点。无论是美光的 DRAM 超级周期、三星的 HBM 全面追赶，还是 SK 海力士的龙头守城与 ADR 上市预期，这三只标的在 2026 年下半年都值得持续关注。

FAQ

1. HBM 是什么？为什么它对 AI 如此重要？

HBM（高带宽存储器）是一种通过 3D 堆叠技术实现超高带宽的 DRAM 产品。在 AI 大模型训练与推理中，GPU 的算力必须搭配足够的内存带宽才能充分发挥。HBM 的带宽密度远超传统内存，已成为 AI 加速芯片最核心的配套器件之一。

2. 三星、SK 海力士和美光在 HBM 市场的份额分别是多少？

2026 年第一季度，按销售额计算，SK 海力士以 58% 的份额位居全球 HBM 市场第一，三星电子与美光各占 21%，并列第二。TrendForce 预计 2026 年全年 SK 海力士份额约 50%、三星约 28%、美光约 22%。

3. 如何在 Gate 上交易美光、三星和 SK 海力士的股票？

完成 Gate 账户注册与 KYC 认证后，将 USDT 充值至账户，在 App 顶部导航栏找到“金融/交易”→“股票（Stocks）”，搜索对应代码——美光“MU”、三星“005930”、SK 海力士“000660”——即可下单交易。

4. Gate 股票交易与传统的股票交易有什么不同？

Gate 支持直接用 USDT 买卖股票，无需兑换法币；支持最低 0.01 股的碎股交易，门槛极低；现货美股实现 0 持仓成本，无资金费率、无隔夜费；股票账户与合约账户完全独立，资金安全有保障。

5. 美光、三星和 SK 海力士当前的投资前景如何？

花旗将美光目标价上调至 1,200 美元；野村证券指出三星隐含上涨空间 96.8%；汇丰研究将 SK 海力士目标价上调至 400 万韩元。三只标的均获机构“买入”评级，但股票投资存在市场波动风险，请谨慎决策。Le 24 juin 2026, les marchés financiers mondiaux ont connu une secousse violente.

La veille au soir, le secteur technologique américain avait subi un lourd revers : l'indice Nasdaq a chuté de 2,21 %, l'indice des semi-conducteurs de Philadelphie a plongé de plus de 7 %, et Micron Technology a chuté de plus de 13 % en séance. La bourse sud-coréenne a également subi une vente panique le 23 juin, avec l'indice KOSPI en chute libre de 9,99 %, Samsung Electronics et SK Hynix perdant tous deux environ 12 %.

Mais seulement 24 heures plus tard, la situation s'est complètement inversée. Le 24 juin après la clôture, Micron Technology a publié ses résultats du troisième trimestre de l'exercice 2026 – un chiffre d'affaires en hausse d'environ 346 % sur un an pour atteindre 41,46 milliards de dollars, et un bénéfice net multiplié par près de 15. Après la clôture, l'action a grimpé jusqu'à 16 % pour atteindre 1 214 dollars. Le même jour, Samsung Electronics a annoncé son intention de racheter pour 90 000 milliards de wons (environ 68 milliards de dollars) d'actions, ce qui a fait bondir le titre de près de 10 %, repassant la barre des 340 500 wons ; SK Hynix a rebondi de 2,58 % pour clôturer à 2 621 000 wons.

Ce revirement spectaculaire n'est pas un hasard. Il reflète une réalité industrielle en accélération : la mémoire IA n'est plus une sous-catégorie du secteur des semi-conducteurs, mais le point stratégique déterminant la compétitivité de l'infrastructure de calcul mondiale. De Micron à Samsung, de SK Hynix à Nvidia, une course à l'armement mondiale autour de la mémoire à large bande passante (HBM) bat son plein.

Plus important encore, pour les investisseurs mondiaux, cette course n'est plus hors de portée. En juin 2026, Gate a officiellement lancé une fonction de négociation d'actions réelles, permettant aux utilisateurs d'échanger directement des actions et des ETF des principaux marchés boursiers, comme Micron, Samsung Electronics et SK Hynix, en utilisant USDT sur la plateforme. Cela signifie que le canal d'investissement des actifs cryptographiques vers les géants technologiques mondiaux est désormais complètement ouvert.

HBM : le « sang de la puissance de calcul » à l'ère de l'IA

Pour comprendre la logique sous-jacente de cette course, il faut d'abord comprendre le rôle central du HBM dans l'architecture de calcul de l'IA.

Le HBM (High Bandwidth Memory) intègre verticalement plusieurs puces DRAM via une technologie d'empilement 3D, offrant une densité de bande passante bien supérieure à celle de la mémoire traditionnelle grâce à des chemins de données très courts. Dans les scénarios d'entraînement et d'inférence de grands modèles, même si la puissance de calcul du GPU est élevée, si la bande passante mémoire ne suit pas, la puissance de calcul est « affamée ». Comme le dit l'analyse sectorielle, « l'efficacité du calcul IA dépend de l'architecture mémoire qui l'alimente ».

Morgan Stanley a souligné dans un rapport que la capacité totale mondiale de HBM est passée d'environ 10 To en 2020 à environ 18 Po en 2026, soit une augmentation de plusieurs ordres de grandeur. SEMI prévoit que le marché mondial du HBM atteindra 54,6 milliards de dollars en 2026, soit une croissance de 58 %, représentant près de 40 % du marché total de la DRAM.

Plus crucial encore, l'écart entre l'offre et la demande. Bien que les trois fabricants – Samsung, SK Hynix et Micron – aient alloué environ 70 % de leurs nouvelles capacités de production au HBM, le déficit de capacité reste de 50 à 60 %. La totalité de la capacité annuelle des trois fournisseurs était déjà réservée dès le premier trimestre 2026, et la pénurie devrait se poursuivre jusqu'en 2028. Le HBM est passé d'un « produit que l'on peut réapprovisionner à tout moment » à un « matériau stratégique le plus rare dans la course à l'armement mondiale de l'intelligence artificielle ».

Paysage concurrentiel des trois géants : qui mène, qui rattrape

Selon les données du premier trimestre 2026 publiées par Counterpoint Research, les parts de marché des ventes de DRAM dans le monde sont les suivantes : Samsung Electronics 38 %, SK Hynix 29 %, Micron 22 %. Samsung, après avoir repris la première place de la DRAM au quatrième trimestre 2025, maintient son avance pour le deuxième trimestre consécutif.

Cependant, dans le segment de marché à haute valeur ajoutée du HBM, la configuration est radicalement différente.

SK Hynix : avantages et inquiétudes du défenseur

Au premier trimestre 2026, SK Hynix a conservé la première place mondiale sur le marché du HBM avec une part de 58 % des ventes. Ce chiffre a toutefois baissé de 11 points par rapport aux 69 % de la même période en 2025. TrendForce prévoit que la part de SK Hynix dans le HBM pourrait encore baisser pour atteindre environ 50 % en 2026.

Cette baisse n'est pas due à une perte de compétitivité de SK Hynix, mais à une évolution du paysage concurrentiel qui passe d'une « domination unique » à un « triumvirat ». SK Hynix voit désormais plus de 40 % de son chiffre d'affaires provenir du HBM, ce qui lui confère un avantage concurrentiel significatif sur ce marché. En termes de rythme produit, SK Hynix prévoyait initialement de fournir des échantillons de HBM4E au second semestre 2026, mais il les a déjà livrés à ses principaux clients entre juin et juillet. Le prototype HBM4E à 12 couches présenté au COMPUTEX 2026 atteint un débit par broche allant jusqu'à 16 Gbps et une bande passante par pile allant jusqu'à 4 To/s, soit une amélioration d'environ 38 % par rapport au HBM4.

Du point de vue de la performance boursière, le titre SK Hynix a cumulé une hausse de plus de 340 % depuis le début de l'année 2026. HSBC Research maintient une note d'achat, relevant son objectif de cours de 2,9 millions à 4 millions de wons, estimant que la hausse des prix du HBM apportera une forte dynamique au second semestre 2026 et en 2027, et qu'une éventuelle cotation d'ADR constitue un catalyseur positif.

Samsung Electronics : de l'arrière à la contre-attaque

Samsung Electronics a traversé une période difficile à l'ère du HBM3E – n'ayant pas franchi le seuil de certification qualité de Nvidia, il a cédé la première place du marché de la DRAM à SK Hynix au premier trimestre 2025. Mais à partir du HBM4, la situation s'est inversée.

En février 2026, Samsung a été le premier au monde à lancer la production en série du HBM4. En mai, Samsung a fourni à ses clients mondiaux les premiers échantillons de HBM4E à 12 couches d'une capacité de 48 Go. Selon les données du secteur, seulement quatre mois après le lancement du HBM4, les ventes cumulées de Samsung ont dépassé le milliard de dollars.

La part de Samsung sur le marché mondial du HBM est passée de 13 % au premier trimestre 2025 à 21 % au premier trimestre 2026, soit une augmentation de 8 points. Counterpoint Research prévoit qu'avec la fourniture de HBM4 à Nvidia, la part de marché de Samsung augmentera progressivement. TrendForce prévoit que la part de Samsung dans le HBM pour l'ensemble de l'année 2026 sera d'environ 28 %.

D'un point de vue investissement, Nomura a indiqué dans un rapport du 25 juin 2026 que le cours de l'action Samsung Electronics était de 340 500 wons, avec un potentiel de hausse implicite de 96,8 %. UBS a relevé son objectif de cours pour Samsung de 45 % à 400 000 wons, avec une note d'achat.

Micron Technology : un bond structurel derrière des résultats « explosifs »

Micron est la variable la plus surprenante de cette course.

Au troisième trimestre de l'exercice 2026 (clos le 31 mai), le chiffre d'affaires de Micron a atteint 41,46 milliards de dollars, en hausse d'environ 346 % sur un an. Le bénéfice par action ajusté non-GAAP a atteint 25,11 dollars, multiplié par près de 14 sur un an. La société indique que les performances des systèmes d'IA dépendent de plus en plus des performances et de la capacité de la mémoire, faisant passer la mémoire d'un « accessoire de commodité » à un « actif stratégique ».

Sur le marché du HBM, la part de Micron au premier trimestre 2026 était de 21 %, à égalité avec Samsung pour la deuxième place. TrendForce prévoit que la part de Micron dans le HBM pour l'ensemble de l'année 2026 sera d'environ 22 %. Bien qu'encore derrière SK Hynix en termes de parts, le taux de croissance trimestrielle du chiffre d'affaires de Micron, qui atteint 81,6 %, montre qu'il réduit rapidement l'écart.

Citi a fortement relevé son objectif de cours pour Micron de 840 à 1 200 dollars, estimant que le supercycle de la DRAM ne fait que commencer. La croissance de la capacité de production de bits DRAM de Micron en 2026 ne devrait être que de 42 %, et la rigidité de l'offre de DRAM standard, combinée à l'explosion continue de la demande des centres de données IA, constitue la logique centrale d'une position haussière sur Micron.

Capacité, technologie et verrouillage client : une compétition tridimensionnelle

La concurrence entre les trois géants ne se limite pas à un simple jeu de chiffres de parts de marché ; elle se déploie intégralement sur trois dimensions : capacité de production, technologie et verrouillage client.

Au niveau de la capacité, les trois fabricants ont déjà redirigé la majeure partie de leurs nouvelles capacités vers le HBM, mais le déficit de capacité de 50 à 60 % signifie que la tension du côté de l'offre va persister. Il est à noter que SK Hynix aurait récemment ajusté sa capacité, réduisant certains plans d'expansion du HBM pour se tourner vers le marché de la DRAM standard – car la rentabilité de la DRAM standard a désormais dépassé celle du HBM. Selon les calculs de Bernstein, en 2026, allouer de la capacité à la DRAM standard génère plus de deux fois le chiffre d'affaires par wafer que le HBM, et une marge brute près de trois fois supérieure.

Au niveau technologique, le HBM4E est devenu le nœud central de la prochaine phase de concurrence. Le rythme – Samsung premier à soumettre des échantillons, SK Hynix suivant rapidement, Micron accélérant pour rattraper – montre que celui qui réussira le premier la validation de production en série du HBM4E auprès des clients majeurs aura une longueur d'avance dans l'attribution des commandes pour 2027.

Au niveau du verrouillage client, Nvidia reste la variable clé qui décide de la victoire ou de la défaite. Le HBM4E de SK Hynix est considéré comme susceptible d'intégrer la prochaine plateforme d'accélérateur IA « Rubin Ultra » de Nvidia. Le PDG de Nvidia, Jensen Huang, a visité le stand de SK Hynix pendant le COMPUTEX et a écrit sur une tranche HBM4E : « Veuillez en produire davantage ». Parallèlement, Samsung est devenu l'un des premiers fournisseurs de HBM4 pour Nvidia. Micron, grâce à ses capacités de production aux États-Unis, occupe une position unique auprès des clients de centres de données nord-américains.

Comment négocier les actions des trois géants de la mémoire IA sur Gate

Pour les investisseurs souhaitant participer à cette course à l'armement de la mémoire IA, Gate offre un canal de commodité sans précédent.

Aperçu de la fonction de négociation d'actions Gate

Le 1er juin 2026, Gate a officiellement lancé son service de négociation d'actions réelles, permettant aux utilisateurs d'échanger directement des actions et des ETFs des principaux marchés boursiers américains en utilisant USDT sur la plateforme. À date de juin 2026, Gate prend en charge plus de 12 500 actions et ETFs, couvrant les cinq principales bourses américaines, dont le NYSE et le Nasdaq.

Pour les trois titres ciblés dans cet article, Gate assure une couverture complète :

• Micron Technology : Code NASDAQ MU
• Samsung Electronics : Code KOSPI 005930
• SK Hynix : Code KOSPI 000660

Avantages clés : pourquoi choisir Gate pour négocier des actions

Coût de détention nul. Contrairement aux frais de financement des contrats perpétuels ou aux frais de swap et de nuit des CFD, les actions au comptant sur Gate offrent un coût de détention de 0 %, sans frais de financement, ni frais de swap, ni frais de nuit.

Négociation fractionnée à très faible seuil. Gate prend en charge la négociation d'actions fractionnées à partir de 0,01 action, permettant aux investisseurs de participer avec un montant inférieur au prix d'une action entière.

Règlement direct en USDT, zéro perte de change. Pas besoin de convertir en wons ou en dollars ; achetez directement avec USDT et le règlement après vente se fait directement en USDT.

Architecture de sécurité de compte indépendant. Gate utilise une structure de compte Omnibus, complètement séparée des comptes de contrats et des comptes spot, avec des fonds gérés indépendamment. Même en cas de liquidation du compte de contrats ou de pertes sur le compte spot, les actifs du compte actions ne sont pas affectés.

Négociation multi-marchés en un seul endroit. Un seul compte pour négocier les actions de Hong Kong le matin, suivre les actions coréennes l'après-midi et opérer sur les actions américaines le soir, avec des fonds circulant sans couture dans un même pool.

Tarifs préférentiels. Gate a intégré son système de niveaux VIP à la négociation d'actions. Les utilisateurs n'ont besoin que de détenir 2 000 dollars pour devenir VIP et bénéficier de frais de négociation d'actions aussi bas que 0,023 %.

Guide en trois étapes

Première étape : Préparer le compte et les fonds. Inscrivez-vous sur Gate et effectuez la vérification KYC de base. Déposez ou transférez des USDT vers le compte unifié/compte de trading.

Deuxième étape : Accéder à la section de négociation d'actions. Dans la barre de navigation supérieure de l'application, trouvez « Finance/Trading » → « Actions (Stocks) ».

Troisième étape : Rechercher et passer un ordre. Recherchez le code correspondant – pour Micron, cherchez « MU », pour Samsung, « 005930 », pour SK Hynix, « 000660 ». Saisissez le montant ou le nombre d'actions, confirmez l'ordre et la transaction est effectuée. Les horaires de négociation des actions coréennes sont de 08h00 à 14h30 (heure de Pékin), sans pause à midi.

Point actuel : quelle action a le plus de potentiel ?

Sur la base des dernières données de marché et des rapports d'analystes, les trois titres présentent chacun des atouts à l'heure actuelle :

Micron Technology (MU) : Objectif de cours de Citi à 1 200 dollars, laissant une marge de hausse par rapport au cours post-résultats. Le prix moyen de la DRAM devrait augmenter de 200 % en 2026, avec un déficit d'offre mondial de 5 %, et les prix du HBM continueront de grimper en 2027. Micron prévoit des dépenses d'investissement d'environ 27 milliards de dollars pour l'ensemble de 2026, accélérant la construction d'usines et les achats d'équipements dans le monde.

Samsung Electronics (005930) : Le rapport de Nomura indique un potentiel de hausse implicite de 96,8 %. UBS fixe un objectif de cours de 400 000 wons, avec une note d'achat. Les expéditions de bits HBM de Samsung en 2026 devraient tripler sur un an pour atteindre 11,2 milliards de Gb.

SK Hynix (000660) : HSBC Research a un objectif de cours de 4 millions de wons, maintenant une note d'achat. La marge opérationnelle du HBM devrait passer d'environ 57 % en 2026 à environ 70 % en 2027. SK Hynix a déposé un dossier confidentiel auprès de la SEC, prévoyant d'émettre des ADR sur le Nasdaq dès août 2026, ce qui pourrait lever environ 14 milliards de dollars.

Il est à noter que Gate mène actuellement une campagne d'incitation à la négociation d'actions – les nouveaux utilisateurs qui effectuent leur première transaction d'actions (cumul de 500 USDT sur SK Hynix ou Samsung Electronics) peuvent partager une récompense de 17 000 dollars en actions SK Hynix. Ceux qui atteignent un certain volume de transactions peuvent également recevoir jusqu'à 2 actions SK Hynix sous forme d'airdrop.

Conclusion

Des résultats « explosifs » de Micron au rachat d'actions épique de Samsung, de la défense du HBM par SK Hynix à la course au HBM4E entre les trois géants, la course à l'armement mondiale de la mémoire IA entre dans une nouvelle phase.

L'essence de cette course est une réévaluation de la couche d'infrastructure à l'ère de la démocratisation de la puissance de calcul. Le HBM est passé d'une sous-catégorie de la DRAM à un marché stratégique de 54,6 milliards de dollars, et la mémoire est passée de « tranches de silicium vendues au poids » à un « actif stratégique » déterminant les performances des systèmes d'IA. La lutte des trois géants sur les trois dimensions de la capacité, de la technologie et du client ne déterminera pas seulement la configuration du pouvoir dans l'industrie mondiale des semi-conducteurs pour les trois à cinq prochaines années, mais crée également des opportunités de participation sans précédent pour les investisseurs mondiaux.

Pour les utilisateurs du marché des cryptomonnaies, la fonction de négociation d'actions de Gate – achat/vente directe avec USDT, coût de détention nul, négociation fractionnée, architecture de sécurité de compte indépendante – signifie que le seuil pour participer à cette vague d'investissement dans la mémoire IA a été abaissé à un niveau sans précédent. Que ce soit le supercycle de la DRAM de Micron, la remontée complète du HBM de Samsung, ou la défense du leadership de SK Hynix et ses perspectives d'ADR, ces trois titres méritent une attention soutenue au second semestre 2026.

FAQ

1. Qu'est-ce que le HBM et pourquoi est-il si important pour l'IA ?

Le HBM (High Bandwidth Memory) est un produit DRAM qui offre une bande passante ultra-élevée grâce à une technologie d'empilement 3D. Dans l'entraînement et l'inférence de grands modèles d'IA, la puissance de calcul du GPU doit être associée à une bande passante mémoire suffisante pour être pleinement exploitée. La densité de bande passante du HBM dépasse de loin celle de la mémoire traditionnelle, ce qui en fait l'un des composants les plus essentiels des puces d'accélération IA.

2. Quelles sont les parts de marché de Samsung, SK Hynix et Micron sur le marché du HBM ?

Au premier trimestre 2026, en termes de ventes, SK Hynix dominait le marché mondial du HBM avec une part de 58 %, tandis que Samsung Electronics et Micron détenaient chacun 21 %, ex aequo pour la deuxième place. TrendForce prévoit que sur l'ensemble de l'année 2026, SK Hynix détiendra environ 50 % de parts, Samsung environ 28 % et Micron environ 22 %.

3. Comment négocier les actions de Micron, Samsung et SK Hynix sur Gate ?

Après avoir créé un compte Gate et effectué la vérification KYC, déposez des USDT sur votre compte. Dans la barre de navigation supérieure de l'application, allez dans « Finance/Trading » → « Actions (Stocks) », recherchez le code correspondant – « MU » pour Micron, « 005930 » pour Samsung, « 000660 » pour SK Hynix – et passez votre ordre.

4. En quoi la négociation d'actions sur Gate diffère-t-elle de la négociation d'actions traditionnelle ?

Gate permet d'acheter et de vendre des actions directement avec USDT, sans conversion en monnaie fiduciaire ; prend en charge la négociation d'actions fractionnées à partir de 0,01 action, avec un seuil très bas ; les actions américaines au comptant offrent un coût de détention nul, sans frais de financement ni frais de nuit ; le compte actions est totalement indépendant du compte de contrats, ce qui garantit la sécurité des fonds.

5. Quelles sont les perspectives d'investissement actuelles pour Micron, Samsung et SK Hynix ?

Citi a relevé son objectif de cours pour Micron à 1 200 dollars ; Nomura indique un potentiel de hausse implicite de 96,8 % pour Samsung ; HSBC Research a relevé son objectif de cours pour SK Hynix à 4 millions de wons. Les trois titres ont reçu une note d'achat de la part des analystes, mais l'investissement en actions comporte des risques de fluctuation du marché ; veuillez prendre vos décisions avec prudence.