Long鑫 Storage lance une course vers une introduction en bourse de 29,5 milliards de yuans : des puces de mémoire domestiques s’apprêtent à livrer « une bataille décisive »

Par Flora, CryptoPulse Labs

Une introduction en bourse de semi-conducteurs très suivie va bientôt faire son entrée sur le marché.

Récemment, le quatrième fabricant mondial de DRAM, ChangXin Memory Technologies (长鑫存储), a annoncé son intention de s’introduire en bourse à la Bourse de Shanghai le 27 juillet, dans le cadre d’une levée de 29,5 milliards de yuans. Si l’opération est menée à bien, cela deviendra non seulement la plus grande introduction en bourse d’Asie en 2026, mais aussi la plus grande introduction en bourse de semi-conducteurs en taille sur le marché A, après que Semiconductor Manufacturing International Corporation (中芯国际) a rejoint le STAR Market.

Pour les marchés financiers, il s’agit d’un financement d’un poids considérable. Pour l’industrie chinoise des semi-conducteurs, cela signifie que les puces de mémoire nationales entrent dans une nouvelle phase de développement. À l’ère de l’IA, la puissance de calcul fixe la limite, tandis que la mémoire détermine l’efficacité.

Alors que la vague mondiale d’intelligence artificielle continue de progresser, l’importance de la DRAM ne cesse de croître, et ChangXin Memory Technologies est en train de devenir l’une des entreprises chinoises de fabrication de pointe les plus surveillées.

I. Une entreprise créée il y a moins de dix ans : pourquoi se hisse-t-elle au rang de quatrième fabricant mondial de DRAM ?

Si l’on devait distinguer les entreprises chinoises de l’industrie des semi-conducteurs ayant connu la croissance la plus rapide au cours des dix dernières années, ChangXin Memory Technologies occuperait sans aucun doute une place de choix.

Fondée en 2016, ChangXin Memory Technologies se consacre à la recherche, à la conception et à la fabrication de la DRAM (Dynamic Random Access Memory, mémoire vive dynamique). La DRAM est une puce de mémoire essentielle pour les ordinateurs, les serveurs, les smartphones, les centres de données, l’électronique automobile et les serveurs d’IA. Elle est surnommée le « data warehouse » de l’économie numérique moderne.

Par rapport aux processeurs, qui assurent le calcul, la DRAM prend en charge le stockage temporaire des données. À chaque calcul réalisé par le CPU et le GPU, des données stockées en mémoire sont sollicitées de manière répétée. Ainsi, la performance de la mémoire influe directement sur l’efficacité de fonctionnement du système dans son ensemble.

Au cours des vingt dernières années, le marché mondial de la DRAM a été dominé presque en permanence par trois entreprises : Samsung Electronics, SK hynix et Micron. La concentration du secteur a longtemps dépassé 90 %, ce qui a valu au marché l’appellation d’« époque des trois géants ».

La raison est simple : la DRAM fait partie des segments de l’industrie des semi-conducteurs présentant les barrières technologiques les plus élevées et les investissements en capital les plus lourds.

Construire une fonderie de plaquettes DRAM de pointe nécessite généralement des investissements de plusieurs dizaines de milliards de yuans. Le cycle de développement d’un nœud de procédé de génération donnée dure souvent plusieurs années. En parallèle, il faut continuer à investir de lourds budgets de R&D, optimiser en permanence les procédés, améliorer les rendements et réduire la consommation électrique. C’est pourquoi, peu de nouveaux entrants parviennent réellement à s’y installer durablement.

Pourtant, ChangXin Memory Technologies a mis moins de dix ans pour réaliser une croissance rapide.

D’après des statistiques sectorielles, en 2025, la part de marché mondiale de ChangXin Memory Technologies dans la DRAM atteint environ 7,7 %, ce qui en fait le quatrième fabricant mondial de DRAM après Samsung, SK hynix et Micron, et l’une des rares entreprises au monde capables de produire la DRAM à grande échelle.

Cette réussite ne signifie pas seulement la croissance propre de l’entreprise : elle marque aussi la première véritable entrée de la Chine dans la configuration concurrentielle mondiale de la DRAM.

II. Derrière l’IPO de 295 milliards de yuans : pourquoi le capital mise-t-il sur ChangXin Memory Technologies ?

La levée de 29,5 milliards de yuans envisagée n’est pas seulement une opération de financement : c’est un investissement stratégique visant les dix prochaines années.

Dans l’industrie des semi-conducteurs, il existe une formule classique : « Sans capitaux, pas de procédés de pointe. » Pour les entreprises de DRAM, les fonds déterminent presque à eux seuls la vitesse de développement.

D’une part, les lignes de production avancées doivent faire l’objet d’augmentations de capacité continues. Avec le développement des serveurs d’IA, du calcul haute performance, du cloud computing et des voitures intelligentes, la demande mondiale en DRAM augmente sans cesse. Sans extension continue des usines de plaquettes, il devient impossible de répondre à la demande du marché, et il devient aussi difficile de réduire les coûts de production.

D’autre part, la recherche de nouvelles technologies exige des investissements sur le long terme. De DDR4 à DDR5, puis à LPDDR, HBM, etc. À chaque mise à niveau technologique correspond un nouveau cycle d’investissements en R&D. Surtout à l’ère de l’IA, la mémoire à haut débit (HBM) est devenue un produit d’accompagnement essentiel des GPU, avec une demande de marché qui progresse rapidement.

Parallèlement, la R&D liée aux procédés de pointe devient de plus en plus coûteuse. Du réglage du procédé aux achats d’équipements, en passant par la validation des matériaux, chaque étape exige des investissements continus de plusieurs milliards.

Ainsi, le marché des capitaux est devenu une source de financement importante pour les entreprises de semi-conducteurs.

Pour son IPO, ChangXin Memory Technologies prévoit d’orienter principalement les fonds levés vers la construction de lignes de production avancées, la recherche technique, l’amélioration des procédés et l’extension des capacités. Cela signifie que, dans les prochaines années, l’entreprise renforcera davantage sa compétitivité produit et sa capacité de fabrication.

Pour les investisseurs, ils misent non seulement sur la capacité bénéficiaire actuelle de ChangXin Memory Technologies, mais aussi sur l’espace de croissance à long terme de l’industrie de la mémoire à l’ère de l’IA.

Ces dernières années, avec le développement rapide de l’entraînement de grands modèles, du calcul d’inférence et des services cloud, la configuration des serveurs d’IA fait l’objet de mises à niveau continues. Un serveur d’IA haut de gamme ne nécessite pas seulement un grand nombre de GPU : il doit aussi être équipé de systèmes mémoire à plus grande capacité et à bande passante plus élevée.

Autrement dit, chaque mise à niveau de la puissance de calcul de l’IA s’accompagne nécessairement d’une mise à niveau synchronisée des puces mémoire. C’est aussi l’une des raisons pour lesquelles les capitaux mondiaux suivent de près l’industrie de la DRAM.

III. L’ère de l’IA redessine l’industrie de la mémoire : ChangXin Memory Technologies saisit une nouvelle opportunité historique

Si, au cours des dix dernières années, la DRAM a surtout été tirée par le marché des smartphones et des PC, les dix prochaines années pourraient voir l’IA devenir le principal moteur de croissance.

La génération d’IA, l’entraînement des grands modèles, la conduite autonome, les robots, l’informatique de périphérie (edge computing) et d’autres secteurs émergents ont tous besoin de capacités mémoire plus importantes et de vitesses de lecture/écriture des données plus rapides.

En particulier dans les serveurs d’IA, un GPU hautes performances nécessite souvent plusieurs centaines de gigaoctets, voire des téraoctets, de mémoire ultra-rapide afin de garantir la transmission en temps utile des données ; sinon, la capacité de calcul du GPU ne pourra pas être pleinement exploitée.

Par conséquent, dans l’industrie, beaucoup pensent que l’infrastructure d’IA à l’avenir ne se limitera pas aux GPU : elle comprendra aussi la DRAM, la HBM et d’autres technologies clés, comme les interconnexions à haut débit.

Alors que les investissements mondiaux dans l’IA continuent d’augmenter, l’industrie des puces mémoire entre dans un nouveau cycle de conjoncture favorable.

Dans le même temps, la demande du marché chinois en matière d’autonomie et de maîtrise du contrôle, ainsi que de fabrication de haut niveau, continue de progresser.

Ces dernières années, de la fabrication de plaquettes aux logiciels EDA, en passant par les équipements de semi-conducteurs et les matériaux clés, la chaîne industrielle des semi-conducteurs en Chine s’est continuellement renforcée. Pourtant, les puces mémoire restent l’un des domaines les plus importants et les plus difficiles à franchir.

Le développement de ChangXin Memory Technologies comble non seulement le vide dans les DRAM de haut niveau produites localement, mais il stimule aussi la croissance conjointe des maillons en amont et en aval de l’industrie nationale.

À mesure que l’entreprise élargit ses capacités de production, son effet d’entraînement sur les fabricants d’équipements, de matériaux, de composants et d’entreprises de packaging-test locales ne fera que s’intensifier davantage, formant ainsi un écosystème industriel plus complet.

Du point de vue du marché des capitaux, l’introduction en bourse de ChangXin Memory Technologies pourrait aussi devenir une nouvelle « pierre d’assise » pour le secteur des semi-conducteurs.

Après Semiconductor Manufacturing International Corporation, le marché A accueille enfin une autre grande entreprise de semi-conducteurs capable de soutenir la concurrence à l’échelle mondiale. Cela contribuerait non seulement à renforcer la capacité de parole des entreprises technologiques chinoises sur le marché des capitaux, mais aussi à accroître encore la confiance des investisseurs dans l’industrie de la fabrication locale de haut niveau.

Bien sûr, au-delà des opportunités, les défis demeurent.

Le marché mondial de la DRAM présente une forte cyclicité, avec de fortes fluctuations des prix ; les entreprises leaders internationales conservent encore des avantages solides en matière de procédés de pointe, de produits HBM et de ressources clients ; et l’accélération de l’évolution technologique signifie aussi une hausse continue des dépenses de R&D.

À l’avenir, ChangXin Memory Technologies devra non seulement augmenter continuellement sa part de marché, mais aussi réaliser des percées constantes dans les procédés de pointe, l’innovation produit et la stratégie de globalisation, afin de devenir véritablement une entreprise de puces mémoire de niveau mondial.

Conclusion

ChangXin Memory Technologies lance une offensive pour une IPO à hauteur de 29,5 milliards de yuans : à première vue, il s’agit d’un large financement du marché des capitaux ; en réalité, cela reflète l’avancement important de l’industrie chinoise des semi-conducteurs vers le haut de gamme, vers l’autonomie et vers la globalisation.

Auparavant, la Chine dépendait davantage des puces mémoire importées. Aujourd’hui, les entreprises locales ont déjà grandi pour devenir le quatrième fabricant mondial de DRAM et s’apprêtent à entrer sur le marché des capitaux, ouvrant une nouvelle phase de développement. Cela signifie non seulement une transition de l’industrie des mémoires domestiques, passant du statut de suiveur à celui de concurrent, mais cela laisse aussi présager que l’industrie chinoise des semi-conducteurs progresse vers une position plus élevée dans la chaîne de valeur mondiale.