什麼是 Roundhill Memory ETF（DRAM）？持倉結構、AI 儲存產業鏈與交易機制解析

與涵蓋晶片設計、晶圓製造、設備以及類比晶片的綜合型半導體 ETF 不同，DRAM ETF 將投資重點聚焦於儲存產業。Roundhill 將其定位為針對全球頂尖儲存製造商的主題型組合，強調 AI 工作負載對高速記憶體、系統記憶體及長期資料儲存的共同需求。

要正確理解 DRAM ETF，必須同時分辨基金代碼與儲存技術名稱。DRAM 既是基金的交易代碼，也是動態隨機存取記憶體的簡稱，但該基金並非僅投資傳統 DRAM 廠商，還涵蓋 HBM、NAND、SSD、NOR、HDD 及特殊應用儲存相關企業。

Roundhill Memory ETF（DRAM）是什麼

Roundhill Memory ETF 的目標在於透過投資儲存產業公司股票，實現資本增值，而非單純追蹤某一固定公開指數。此基金採主動管理模式，管理人會依據儲存業務收入占比、市場地位、市值及交易流動性等條件配置組合，並至少每季進行再平衡。

根據官方招募說明書，符合資格的「儲存公司」通常需有至少 50% 的收入或利潤來自 HBM、DRAM、NAND、採用 NAND 的 SSD、NOR、HDD，或特殊及嵌入式儲存的開發或製造。一般情況下，基金至少會將 80% 的淨資產及投資借款投入這類公司的股票或相關曝險工具。

該基金並未承諾複製任何指數成分與報酬，組合表現將受管理人選股與權重決策影響。主動管理可靈活調整產業曝險，但同時也意味基金表現可能與一般儲存指數或綜合半導體指數出現顯著差異。

DRAM ETF 為何聚焦儲存晶片產業

DRAM ETF 聚焦於儲存晶片產業，原因在於單靠運算能力提升，無法解決 AI 系統的資料瓶頸。模型訓練與推論需要在加速器、系統記憶體及長期儲存間持續搬移資料，記憶體頻寬、容量、延遲與儲存吞吐量都會直接影響整體運作效率。

Roundhill 將電腦記憶體與儲存視為長期 AI 基礎設施建設的關鍵產業，並認為儲存是資料密集型應用的核心瓶頸。因此，基金並未將 GPU、晶圓代工或半導體設備列為主軸，而是專注於直接生產與供應儲存產品的企業。

這一主題設計主要涵蓋三大需求層次：

• HBM 及高效能 DRAM 為 AI 加速器和伺服器提供高速資料傳輸；
• 一般 DRAM 與嵌入式儲存支撐系統運作、快取與終端運算；
• NAND、企業級 SSD 與 HDD 則負責儲存模型、訓練資料及推論結果。

因此，DRAM ETF 的產業邏輯不僅僅是「記憶體價格上漲」。基金表現還會受到產品結構、先進封裝實力、儲存世代升級、資料中心需求及各公司非儲存業務表現等多重因素共同影響。

DRAM ETF 的持股篩選與權重機制

DRAM ETF 的持股篩選首先要求企業擁有高度的儲存業務純度。官方標準通常要求至少 50% 的收入或利潤來自指定儲存產品，同時公司市值不得低於 100 億美元，且平均日交易量至少達 500 萬美元，以降低小型企業及低流動性證券對組合操作的影響。

權重配置通常以修正後市值為基礎，並考量企業在儲存市場的市占率及儲存產品收入占比。單一公司目標權重原則上設有 25% 上限，基金至少每季再平衡，兩次調整期間一般不會主動頻繁交易。

基金亦可透過總收益交換與遠期合約取得部分公司曝險。Roundhill 指出，使用總收益交換的目的之一，是協助基金符合監管投資公司的分散化規範；官網揭露的持股權重將合併直接股票部位與交換產生的曝險。

HBM、DRAM、NAND 與企業級儲存的角色定位

HBM 主要解決 AI 加速器端高頻寬資料傳輸的需求。透過堆疊結構與寬資料介面提升頻寬，使 GPU 或其他加速器能更快讀取模型參數和中間運算資料，對大型模型訓練與高吞吐推論至關重要。

傳統 DRAM 主要擔任伺服器及運算設備的系統記憶體，其容量、速度與能效會影響 CPU、GPU、網路設備等元件間的資料調度。因此，即便 HBM 備受關注，通用伺服器 DRAM 仍是資料中心不可或缺的基礎配置。

NAND 及其應用於企業級 SSD 更適合長期資料保存。訓練資料集、模型檢查點、向量資料庫與推論紀錄通常需儲存在非揮發性設備，因此 AI 基礎設施擴張不僅推升高速記憶體需求，也帶動企業級 SSD 及相關快閃記憶體的容量需求。

DRAM ETF 將這些儲存類別納入同一主題，正是因為 AI 系統需建立完整的儲存層級。HBM 提供近端頻寬，DRAM 負責工作記憶體，SSD 與 HDD 則負責長期資料保存，各產品的需求與價格循環並不完全同步。

Micron、三星與 SK 海力士的核心地位

Micron、三星電子與 SK 海力士成為 DRAM ETF 的核心持股，是因三家公司涵蓋全球主要 DRAM、HBM 及 NAND 產能。截至 2026 年 6 月 30 日，Roundhill 官網列舉的主要曝險包括 Micron、Samsung、SK Hynix、SanDisk 與 Kioxia，實際權重會隨持股調整與交換曝險變動。

Micron 為組合提供美國上市儲存企業的曝險，業務涵蓋 DRAM、HBM 及 NAND。三星電子業務範圍更廣，儲存半導體僅為其多元事業之一；SK 海力士則於 DRAM 與 HBM 領域具領先地位，因此三家公司對 AI 儲存需求的敏感度及其他業務影響各異。

SanDisk 與 Kioxia 主要補足 NAND 及快閃儲存，使組合不僅依賴 HBM 與 DRAM。此持股結構可同時覆蓋高速記憶體與長期儲存，但由於核心儲存市場本身集中度高，基金仍可能明顯受少數大型企業的業績與產能決策影響。

需特別留意，核心曝險並非固定持股名單或比例。DRAM ETF 為主動管理基金，管理人可依資格標準、市占率、儲存收入占比及再平衡結果靈活調整組合。

AI 資料中心需求對 DRAM ETF 的影響

AI 資料中心需求首先透過 HBM 及伺服器 DRAM 影響 DRAM ETF。加速器數量增加將擴大高頻寬記憶體需求，更大的模型與推論任務亦需更多系統記憶體，這將改變儲存企業的產品組合、平均售價與先進產品收入占比。

第二條路徑來自 NAND 與企業級儲存。AI 資料中心需儲存訓練資料、模型版本、快取檔案與推論結果，因此伺服器數量與資料規模擴張也會帶動企業級 SSD、快閃記憶體及大容量儲存需求。

然而，AI 需求不會自動轉化為所有儲存企業同步成長。影響持股表現的關鍵因素還包括：

• HBM 及先進 DRAM 的生產良率與客戶認證進度；
• NAND、傳統 DRAM 與企業級 SSD 的庫存與價格波動；
• 新產能建設速度與資本支出紀律；
• 出口管制、供應鏈中斷及地區市場變化；
• 各持股企業非儲存業務的經營表現。

因此，DRAM ETF 與 AI 基礎設施之間具明確連結，但基金本身並非 AI 運算指數，而是更集中反映「AI 與資料成長如何重塑記憶體與儲存需求」，同時仍保留傳統儲存產業的週期特性。

DRAM ETF 與一般半導體 ETF 的差異

DRAM ETF 與一般半導體 ETF 的核心差異在於產業涵蓋範圍。DRAM 主動篩選高度依賴儲存產品的企業；以 VanEck Semiconductor ETF（SMH）為例，SMH 追蹤涵蓋半導體製造及設備公司的指數，持股可包含 GPU、晶圓代工、晶片設計、類比晶片及製造設備企業。

截至 2026 年 7 月 10 日，SMH 的主要持股包括 Nvidia、台積電、Broadcom、AMD、Micron、Applied Materials 及 ASML 等，反映其涵蓋整個半導體價值鏈，而非僅提供儲存曝險。DRAM 則更集中於 Micron、三星、SK 海力士、SanDisk 與 Kioxia 等儲存生產商。

DRAM ETF 主題純度高，但分散度較低。一般半導體 ETF 可藉由運算晶片、晶圓代工及設備公司分散單一儲存週期的影響，而 DRAM 則更直接反映儲存供需與價格波動。

如何在 Gate 用 USDT 交易 DRAM

於 Gate 交易 DRAM 時，符合資格的用戶可進入 Gate 股票專區，搜尋「DRAM」或「Roundhill Memory ETF」，使用帳戶內 USDT 買賣該 ETF。下單前請確認所在地區支援 Gate Stocks，並完成相關身份驗證及資金劃撥。

進入交易頁面後，請核對產品名稱、交易代碼與產品類型，確保選擇的確為 DRAM ETF，而非名稱相近的合約或其他衍生品。可根據頁面支援情況選擇市價單或限價單，下單前確認交易金額、ETF 份額、預估費用及可用 USDT 餘額。

買進成交後，DRAM ETF 會顯示於股票持股與訂單紀錄中；賣出成交後，資金將依平台規則結算為 USDT。實際交易時段、最低交易單位、費用、公司行動及結算方式，請以 Gate 當前頁面與適用規範為準。

DRAM ETF 的優勢、侷限與主要風險

DRAM ETF 的最大優勢，是為全球儲存產業提供集中且一站式的投資入口。投資人無需分別處理美、韓、日多家企業，即可透過單一基金獲得 HBM、DRAM、NAND 及企業級儲存的完整曝險。

主動管理亦讓基金能依市場市占、儲存收入與產業動態靈活調整權重。單一企業 25% 的原則性上限可避免單一持股主導組合，但基金本質仍屬非分散型，且集中於資訊科技與儲存相關產業。

主要侷限與風險包括：

• 儲存產業具明顯的供需、庫存及價格循環
• 組合集中於少數大型製造商與特定國家市場
• HBM、DRAM、NAND 製造涉及良率、技術更迭及高資本投入
• 總收益交換帶來交易對手、評價與流動性風險
• ETF 市價可能高於或低於資產淨值，並存在買賣價差
• 基金成立時間尚短，缺乏完整長期績效紀錄

官方文件亦指出，儲存企業可能面臨技術淘汰、供應鏈中斷、激烈競爭、價格波動、出口管制及市場接受度不確定等挑戰。基金對韓國發行人曝險較高，也會受到韓國市場及區域事件的額外影響。

總結

Roundhill Memory ETF（DRAM）是一檔主動管理的全球儲存主題 ETF，透過股票、存託憑證及部分衍生工具，集中涵蓋 HBM、DRAM、NAND、SSD、HDD 及嵌入式儲存企業。其篩選機制強調儲存業務純度、市值與流動性，並採修正市值權重及至少季度再平衡策略。

DRAM ETF 與 AI 基礎設施的連結主要來自記憶體頻寬、系統容量及長期資料儲存需求。相較於綜合半導體 ETF，其提供更純粹的儲存產業曝險，但同時也更容易受到儲存價格循環、少數核心企業、地區市場及技術更迭的影響。

FAQ

Roundhill Memory ETF（DRAM）主要投資什麼？

DRAM 主要投資於收入或利潤高度依賴 HBM、DRAM、NAND、SSD、NOR、HDD 及嵌入式儲存的全球大型企業。

DRAM ETF 屬於主動管理還是指數型基金？

DRAM ETF 採主動管理，由 Roundhill 依據業務純度、市場市占、市值及流動性篩選持股，並至少每季再平衡。

DRAM ETF 的主要持股有哪些？

截至 2026 年 6 月 30 日，官方列舉的主要曝險包括 Micron、三星電子、SK 海力士、SanDisk 與 Kioxia，權重可隨時調整。

DRAM ETF 與 AI 有何關聯？

AI 訓練與推論需高頻寬記憶體、伺服器 DRAM 及企業級儲存，因此 AI 資料中心擴張會直接影響基金所涵蓋企業的產品需求。

DRAM ETF 與一般半導體 ETF 有什麼不同？

DRAM 專注於儲存晶片與儲存設備企業，一般半導體 ETF 則同時涵蓋 GPU、晶圓代工、晶片設計及半導體設備公司。

DRAM ETF 的費用率是多少？

Roundhill Memory ETF 年度總費用率為 0.65%，實際交易還可能產生佣金、買賣價差及其他中介費用。