SK海力士在下一代HBM4芯片上实现了一个关键里程碑

SK海力士已完成HBM4的开发，这是其下一代超高性能人工智能内存产品。该公司还为其客户建立了这些高带宽内存芯片的批量生产系统。

这家韩国公司声称，这种半导体芯片可以垂直互连多个DRAM芯片，并提高与传统DRAM产品相比的数据处理速度。SK海力士相信，HBM4芯片的量产将引领人工智能行业。

SK Hynix准备大规模生产HBM4

SK海力士基于最近对人工智能和数据处理需求的急剧增加，开发了其产品，这需要高带宽内存以提高系统速度。该公司还认为，确保内存的能效已成为客户的关键要求，因为数据中心的能源消耗已经飙升。

半导体供应商预计，HBM4 更高的带宽和能效将是满足客户需求的最佳解决方案。下一代 HBM4 的生产涉及将芯片垂直堆叠，以节省空间并降低能耗，这有助于处理由复杂的 AI 应用生成的大量数据。

SK Hynix的一位高管表示：“HBM4的开发完成将成为行业的新里程碑。通过及时提供满足客户对性能、能效和可靠性需求的产品，公司将实现上市时间并保持竞争地位。”

这家韩国公司透露，其新产品在行业中具有最佳的数据处理速度和能效。根据报告，该芯片的带宽相较于上一代已经翻倍，采用了2,048个I/O终端，其能效提高了40%以上。

SK海力士还声称，HBM4将在应用该产品时使AI服务的性能提高多达69%。该倡议旨在解决数据瓶颈并降低数据中心的能源成本。

该公司透露，HBM4的操作速度超过了(JEDEC) (8Gbps)的电子设备工程委员会标准速度，通过在产品中集成超过10Gbps。JEDEC是一个全球标准化机构，负责为微电子行业开发开放标准和出版物。

SK Hynix 还在 HBM4 中引入了先进的 MR-MUF ( 大规模重流模塑填充 ) 过程，可以堆叠芯片并在它们之间注入液体保护材料，以保护芯片之间的电路并使其硬化。

该公司声称，该过程已被证明在市场上更可靠且更有效于散热，相比于为每个芯片堆放置薄膜材料的方法。SK Hynix认为，其先进的MR-MUF技术有助于通过提供良好的变形控制和降低堆叠芯片的压力，确保HBM的稳定大规模生产。

该公司还采用了1bnm工艺，这是HBM4中10纳米技术的第五代。SK海力士表示，这有助于降低市场生产风险。该公司的高管表示，SK海力士计划成为AI内存的全面供应商，提供行业所需的最佳质量和多样化性能的内存产品。

SK Hynix的股票大幅上涨

在HBM4发布后，SK海力士的股价达到了历史最高点，涨幅达到6.60%，达到327,500 KRW ($235.59)。该公司的股价在过去五天内也上涨了大约17.5%，在过去一个月内几乎上涨了22%。

一位证券公司的高级分析师预测，该公司的 HBM 市场份额将在 2026 年保持在 60% 的低端区间。他认为这将得到早期向关键客户供应 HBM4 的支持，以及由此带来的先发优势。

SK Hynix 向一家重要科技公司供应最多的 HBM 半导体芯片，其次是其他制造商提供较小的数量。该公司的高管预计，AI 内存芯片市场将以每年 30% 的速度增长，直到 2030 年。

高管表示，最终用户对人工智能的需求非常强劲。他还预见到，云计算公司在人工智能上的数十亿美元资本支出将在未来上调。