记忆体涨价潮背后的真相：南亚科为何能趁势突破190元？

股价涨势背后：HBM抢产能引发的DDR4大缺口

美光前不久发布乐观前景，瞬间点燃了整个存储板块的做多情绪。南亚科（2408）随之挟着买盘涌进，盘中最高触及190元创新高，最终收在189元，单日劲扬逾12元，涨幅达7.08%，成交量也放大超11.7万张。

这波涨势绝非虚火。市场真正的驱动力来自于一个「逼不得已」的产能转移——全球三大存储厂商为了抢占AI服务器的高频宽存储器（HBM）风口，正在以前所未有的速度将DDR4产能挪作他用。长鑫存储传出将2026年DDR4月产能腰斩至1万片，美光旗下Crucial品牌也宣布2026年初将停产部分DDR4规格。短短几则新闻，却彻底改写了整个市场的供给侧面。

南亚科为何能吃到这波红利？1B制程的良率优势

在大厂们集体转向HBM的同时，南亚科反而成了「渔翁得利」的受益者。其自主研发的10纳米级1B制程已进入量产收割期，良率与效率明显领先同业。根据数据，1B制程产品已占2025年位元产出的30%以上，其中16Gb DDR5 5600产品已稳定交货，更高速的6400 MT/s版本也进入验证阶段。

关键在于ASP（平均销售单价）的质变。DDR5产品本身就比DDR4贵得多，当南亚科的1B制程16Gb DDR4出货比重跨越10%的营收门槛后，整个产品结构升级带来的毛利率修复就直接体现在财报上。法人估算，这季ASP季增率有望从原先预期的35%上调至55%，这种涨幅在过去十年存储周期中根本未曾出现过。

涨到230元有没有可能？从目标价看南亚科的故事

市场对南亚科的乐观度已经写进研究报告里——大型投顾机构将目标价从160元直接拉升至230元，关键假设是2026年毛利率将挑战64.5%的历史新高，届时单年EPS预期爆发性增长至23.25元，远高于原先估算的14元。

从技术面来看，今日的实体长阳线站稳所有均线，RSI与KD指标也呈现多头排列。只要后续能守稳缺口，股价仍有向上垫高的结构动力。但投资人也别忽视风险——近期整个存储族群集体喷发，威刚等模组厂纷纷涨停，资金集中度过高。加上新年假期临近，市场量能面临季节性调整压力，短期若遇获利回吐，股价震荡势必加剧。

后市怎么看？关键在2026年初的价格动向

长期而言，南亚科已从传统景气循环股转向AI基础设施红利股。未来股价的关键观察点就一个——2026年初DRAM现货与合约价是否继续上行。只要这个趋势不改，南亚科的长线多头格局才真正要开启。换句话说，这波从缺货潮带起的涨势，才只是开场，后面的戏还长着呢。