Los dos gigantes de la memoria en China invierten en conjunto 63 mil millones para ampliar capacidad de producción; Longxin Storage aumenta la producción de DDR5 a la fuerza con un enfoque tipo “artesanal”.

ChangXin Storage y Changjiang Storage suman una inversión de 63.000 millones de renminbi para ampliar capacidad, y ChangXin Storage prevé que hacia finales de 2026 su producción mensual alcance las 350.000 obleas, acercándose a la capacidad estimada de 375.000 obleas de Micron en el mismo periodo. Esto introduce variables en el mapa global de oferta y demanda de DRAM y NAND.
（Antecedentes: Samsung y SK hynix invierten 2.000 billones de wones surcoreanos para construir una fábrica de obleas de silicio. Una apuesta fuerte por la memoria de los próximos 10 años, con Gwangju como el mayor ganador）
（Información de contexto: la memoria HBM ya representa el 63% del costo de los chips de IA; hynix, Samsung y Micron se quedan con el poder de fijación de precios de capacidad de cómputo）

Índice del artículo

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• Si no hay EUV, se usa fuerza bruta para rodearlo
• ¿Aritmética de capacidad para acercarse a Micron?
• ¿Hacia dónde va el dinero? La estrategia se inclina hacia donde fluye

Dos grandes fabricantes de memoria de China, aunque no pueden conseguir los equipos más avanzados debido a las sanciones de Estados Unidos, también quieren capturar parte de esta ola de demanda explosiva de servidores de IA; por eso ChangXin Storage se asocia con Changjiang Storage y planean invertir en conjunto 63.000 millones de renminbi como gasto de capital para comprar líneas de producción.

Si no hay EUV, se usa fuerza bruta para rodearlo

La “línea roja” ante ChangXin Storage se llama equipo de exposición EUV, o sea, un equipo de litografía de alta gama capaz de grabar circuitos más precisos en las obleas. Es el eslabón que Estados Unidos tiene más firmemente bloqueado mediante sanciones. Sin esto, en teoría de proceso avanzado es difícil avanzar paso a paso, y esa es también la razón por la que durante algunos años el mundo exterior llegó a pensar que la memoria china nunca alcanzaría a los tres grandes fabricantes internacionales.

La solución de ChangXin Storage es bastante “terrosa”: cambiar a equipos DUV de generaciones anteriores, y combinar la tecnología de exposición múltiple; dicho de forma simple, es exponer la misma oblea varias veces en etapas, cambiando el número de pasos por precisión. El costo es una mayor presión sobre el rendimiento y un costo más alto por oblea, pero a cambio obtiene lo que más desea: productos que se puedan despachar.

Actualmente, esta línea de producción ya está suministrando módulos de memoria DDR5 (8000 MT/s) y LPDDR5X, que apuntan directamente a la demanda de IA, entrando de lleno en el mercado donde hay más escasez. Esto también explica por qué ChangXin Storage se atreve a expandir capacidad de forma continua aun con costos más altos: apuesta a que el lado de la demanda está dispuesto a pagar por la oferta. Y la eficiencia de poder construir una sala limpia en 12 meses es el respaldo para que esta táctica de fuerza bruta funcione: mientras otros todavía están poniendo cimientos, pasando evaluaciones ambientales o esperando fechas de entrega, ChangXin Storage ya está haciendo funcionar el rendimiento en las máquinas. Esa brecha de tiempo en sí misma ya es una ventaja de capacidad.

¿Aritmética de capacidad para acercarse a Micron?

Los analistas señalan que, si se completa el plan a tiempo, para finales de 2026 la producción mensual de DRAM de ChangXin Storage se acercará a 350.000 obleas, frente a las 375.000 obleas estimadas de Micron en el mismo periodo; la diferencia es menor al 10%.

La batalla en NAND tampoco se ha detenido. Tras llenarse de capacidad, la producción mensual total estimada de Changjiang Storage superará las 170.000 obleas. Detrás de ese número están dos fábricas de obleas en Wuhan con una producción mensual cercana a las 150.000 obleas, más la capacidad de la tercera fase de expansión que está en instalación y pruebas, y que se prevé que entre en producción en la segunda mitad de 2026.

Al ver ambas líneas superpuestas: DRAM se acerca pegado, NAND en silencio eleva el piso. Un “doble” en China de la memoria, uno con gran despliegue y otro trabajando en silencio y con fuerza; con puntos de entrada distintos, pero convergiendo en la misma dirección, intentando arrebatar participación de mercado de chips de almacenamiento que antes compartían Samsung, SK hynix y Micron, oblea por oblea.

¿Hacia dónde va el dinero? La estrategia se inclina hacia donde fluye

Lo que realmente mueve el tablero de esta expansión es la cadena de suministro de equipos. En China, el “porcentaje de compra local” de equipos semiconductores—dicho en sencillo, la proporción de equipos nacionales dentro del monto total de compras—hoy es de solo alrededor del 23,2%, lo que significa que más de siete décimas del abastecimiento todavía depende de importaciones.

Pero solo la compra de ChangXin Storage para 2026, se estima que aportará casi 10.000 millones de renminbi de nuevos negocios a proveedores locales. Primero se alimenta al proveedor con el mercado, luego el proveedor, a su vez, elevará el rendimiento; así, la proporción de dependencia de importaciones podría ir bajando año tras año. Una vez que se activa esta curva de “localización”, resulta muy difícil dar marcha atrás.

Al mismo tiempo, el gobierno chino impulsa a ChangXin Storage a transferir su IP tecnológica de DRAM—es decir, patentes de proceso y conocimientos de fabricación—a Fujian Jinhua, Shengwei XU y la filial de Changjiang Storage, XinXin. A corto plazo, es para aliviar la escasez interna; a largo plazo, es para prepararse para tocar la puerta de la UE e incluso del mercado de Estados Unidos. Al dispersarse la tecnología entre varias plantas, el efecto de una sanción dirigida a un solo punto se diluye.

Por supuesto, este ajedrez no lo juega solo China: Samsung Electronics, SK hynix y Micron también aumentan su gasto de capital de manera simultánea. SEMI (la Asociación Internacional de la Industria de Semiconductores) estima que el mercado global de equipos semiconductores pasará de 116,6 mil millones de dólares en 2024 a 155,6 mil millones de dólares en 2027; el pastel en sí también está creciendo.

Si se mira con un horizonte más largo, el verdadero poder de daño de esta expansión no está en el volumen de despachos de corto plazo, sino en que, si ChangXin Storage logra llevar el rendimiento y los costos a un nivel escalable, la capacidad de fijar precios de la memoria global podría tener una segunda voz. Eso sería suficiente para que los competidores piensen un segundo más en la próxima reunión de cotizaciones y recalculen el ritmo de su inventario y su ampliación de capacidad.