Les semi-conducteurs de puissance augmentent déjà de prix avant même l'arrivée des racks de 1 MW

Cela se produit avant que l'industrie n'atteigne les architectures de racks de 1 MW
Ceux-ci arriveront plus tard avec des plateformes comme NVIDIA Feynman et les systèmes rack-scale AMD MI500
Rubin Ultra devrait déjà pousser la puissance des racks vers environ 600 kW+, mais même l'arrivée de Vera Rubin, à environ 225 kW par rack, suffit à créer un choc de demande dans la chaîne d'approvisionnement des semi-conducteurs de puissance
Voici les augmentations de prix rapportées jusqu'à présent :
> Infineon : deuxième augmentation de prix en 2026, effective au 1er juillet, couvrant certains produits de puissance
> Texas Instruments : augmentation de prix rapportée au 1er juillet sur des produits incluant PMICs et MOSFET
> Silan Micro : augmentation de prix de 15 %+ sur l'ensemble de son portefeuille de produits, effective au 1er juillet
> Yangjie Technology : augmentation de prix de 10 à 15 % sur toute sa gamme de produits, effective au 1er juillet
> MacMic : augmentation prévue de 10 % pour l'IGBT
> JieJie Microelectronics : augmentations prévues de 10 à 20 % pour les MOSFET et IGBT
> Li-On Micro : augmentation de 10 à 15 % pour les puces de puissance
> CR Micro : augmentations de prix sur toute la ligne à partir de 10 %+
> NCE Power : augmentations de prix sur les MOSFET et dispositifs de puissance associés
La raison pour laquelle les racks IA de plus haute puissance nécessitent davantage de semi-conducteurs de puissance est que les puces IA n'ont pas seulement besoin de plus d'électricité. Elles ont besoin du matériel pour contrôler cette électricité
Un GPU ne consomme pas directement l'énergie d'un bus de rack à 800 V. Cette puissance doit être abaissée par étapes multiples jusqu'à atteindre le GPU à environ 1 V ou moins, mais avec un courant extrêmement élevé. Plus la puissance du rack est élevée, plus le courant, la chaleur et les contraintes de commutation que le système doit gérer sont importants
Cela ne peut pas être résolu avec une seule puce de puissance géante. Un grand dispositif serait trop chaud, trop inefficace, trop difficile à fabriquer et trop risqué en cas de défaillance
Au lieu de cela, ils répartissent la charge sur de nombreuses étages de puissance et de nombreuses phases VRM. Chaque phase utilise des MOSFET, des drivers, des contrôleurs, des condensateurs et des inductances
Cela signifie qu'une densité de rack plus élevée ne nécessite pas seulement des alimentations plus grandes. Elle nécessite une architecture de puissance beaucoup plus complexe, incluant de nouvelles conceptions de refroidissement avancées utilisant la microfluidique
Cette densité de puissance et cette complexité accrues créent une explosion de l'offre à chaque étape du processus de gestion de la puissance et de la chaleur, dont les effets sont déjà visibles dans toute l'industrie