Meados de junho de 2026 assinalam um momento excecionalmente raro para a indústria global de chips de memória. As ações da SanDisk (SNDK) estiveram prestes a atingir os 2 000 $ durante a negociação intradiária em 12 de junho, com ganhos desde o início do ano a ultrapassar os 734 %. Contudo, o mercado está longe de ser uma subida unilateral. Em 16 de junho, a SNDK fechou com uma queda de 5,52 % nos 1 991,55 $, tendo registado uma volatilidade intradiária de 9,45 %—oscilando acentuadamente entre um mínimo de 1 980,16 $ e um máximo de 2 167,33 $. No mesmo dia, a Micron Technology (MU) recuou 6,18 %, com o volume de negociação a atingir os 47 104 milhões $. O desempenho divergente dentro do setor de chips de memória evidencia o intenso debate de mercado sobre a lógica que sustenta a procura de memória para IA.
Para compreender verdadeiramente a natureza deste ciclo, é fundamental clarificar primeiro as funções distintas do NAND e do HBM no ecossistema da IA. Não se trata apenas de uma questão técnica—é uma variável central que molda as dinâmicas de oferta e procura, os mecanismos de preços e as estratégias de investimento.
Arquitetura de Memória em Três Camadas nos Sistemas de IA
A memória nos sistemas de computação para IA não constitui uma camada monolítica. Do ponto de vista técnico, HBM, DRAM e NAND desempenham funções fundamentalmente distintas.
O HBM (High Bandwidth Memory) está diretamente junto aos aceleradores de IA (GPU/TPU), atuando como o "canal de dados em tempo real" crítico que alimenta rapidamente os chips de computação durante o treino de IA. O DRAM gere o estado operacional ativo do sistema, a memória de conversação e os resultados intermédios de computação. Os SSD empresariais baseados em flash NAND fornecem armazenamento persistente para conjuntos de dados massivos, parâmetros de modelos incorporados, índices de pesquisa, registos e checkpoints.
Esta arquitetura em camadas determina a ordem e elasticidade com que cada produto de memória beneficia da expansão da procura de IA. O HBM beneficia do crescimento exponencial do tamanho dos parâmetros dos modelos—dados da Morgan Stanley mostram que a capacidade de HBM aumentou de cerca de 10 TB em 2020 para aproximadamente 18 PB em 2026, um salto de várias ordens de magnitude. O crescimento do NAND, por sua vez, é impulsionado pelas necessidades crescentes durante a fase de inferência da IA: à medida que os grandes modelos de IA passam do treino para a implementação generalizada, as cargas de trabalho de inferência registam um aumento explosivo nos requisitos de armazenamento de contexto (KV cache).
Lacuna entre Oferta e Procura: Diferenças Estruturais por Detrás dos Números
Em 2026, o mercado global de memória enfrenta a escassez de oferta mais severa dos últimos quase 15 anos. No entanto, o desequilíbrio entre oferta e procura varia significativamente entre segmentos.
Segundo a SemiAnalysis, a oferta de DRAM ficará aquém da procura em cerca de 7 % em 2026, com uma lacuna de HBM de aproximadamente 6 %—prevendo-se que se amplie para 9 % em 2027. Estudos do setor projetam ainda défices de oferta para DRAM, flash NAND e HBM de 4,9 %, 4,2 % e 5,1 % respetivamente em 2026, todos nos níveis mais elevados desde 2011.
As restrições estruturais do lado da oferta merecem especial destaque. O analista da Morgan Stanley, Joseph Moore, referiu num relatório do início de junho que o principal obstáculo à expansão da oferta de chips de memória não é a falta de investimento de capital, mas sim limites físicos rígidos—capacidade insuficiente de salas limpas e fornecimento restrito de máquinas de litografia EUV. Moore foi claro: "Não há solução rápida para a escassez de memória", prevendo que as restrições de oferta possam persistir durante dois a três anos ou até mais.
O NAND enfrenta restrições semelhantes do lado da oferta. Os SSD empresariais tornaram-se o principal motor do crescimento da procura de NAND, com a procura global de NAND projetada para aumentar 18 % tanto em 2026 como em 2027. No entanto, a entrada de wafers deverá diminuir 5 % em 2026 e crescer apenas 3 % em 2027. O parceiro de joint venture da SanDisk, Kioxia, ajustou ligeiramente a sua previsão de crescimento de bits a longo prazo de 20 % para 22 %, enquanto os investimentos de capital permanecem reduzidos. A diferença significativa entre o crescimento da procura e da oferta constitui o suporte fundamental para a continuação da subida dos preços do NAND.
Mecanismo de Preços: De Commodity Cíclica a Ativo Estratégico
Outra característica definidora deste ciclo de memória é uma mudança fundamental nos mecanismos de preços.
Tradicionalmente, os preços dos chips de memória eram ditados pela oferta e procura no mercado spot, resultando numa volatilidade cíclica acentuada. Neste ciclo, contudo, os principais fornecedores de serviços cloud estão cada vez mais a garantir capacidade através de acordos de fornecimento de longo prazo e pré-pagamentos. A Morgan Stanley refere que os contratos de longo prazo poderão representar 70 % ou mais da oferta total nos próximos três a cinco anos. Esta mudança implica que as ações relacionadas com DRAM "podem ser reavaliadas para pelo menos 8–10x os lucros, face aos atuais 5x, oferecendo potencial de valorização significativo".
O impacto desta mudança de preços difere entre NAND e HBM. O HBM, enquanto principal gargalo para o treino de IA, vê a sua elasticidade de preços principalmente limitada pela capacidade de packaging avançado. Os preços do NAND, por sua vez, são influenciados tanto pela procura de SSD empresariais como pela gestão disciplinada da oferta. A Bernstein destaca que os clientes de data centers se tornaram os principais compradores em todos os segmentos de memória, e a sua sensibilidade ao preço é muito inferior à dos consumidores tradicionais. Esta dinâmica sustenta um poder de preço mais forte e duradouro do que em ciclos anteriores.
Perspetiva Institucional: Atualização de Preços-Alvo pela Morgan Stanley e Lógica de Posicionamento de Tepper
Em 3 de junho, a Morgan Stanley elevou de forma significativa o preço-alvo da SanDisk de 1 100 $ para 1 750 $, e duplicou o preço-alvo da Micron de 520 $ para 1 050 $. A empresa aumentou ainda as previsões de lucros da SanDisk em 12 % para o exercício de 2026 e 24 % para 2027. Apesar de ambas as ações terem valorizado cerca de 564 % e 242 % respetivamente desde o início do ano, a Morgan Stanley acredita que as suas avaliações permanecem abaixo dos 10x lucros implícitos para 2027, deixando amplo espaço para expansão adicional.
Os principais hedge funds corroboram esta visão. O investidor bilionário David Tepper, através da Appaloosa Management, revelou na declaração 13F do primeiro trimestre de 2026 uma nova posição de cerca de 281 250 ações na SanDisk. Mesmo após um ganho de cerca de 535 % da SNDK em 2026, Tepper optou por iniciar uma participação nestes níveis. O portefólio da Appaloosa no primeiro trimestre estava avaliado em cerca de 6,9 mil milhões $, com elevada concentração—as cinco principais posições representavam mais de 48 % do total. O capital afastou-se das ações tradicionais de consumo e relacionadas com a China, direcionando-se para infraestruturas de IA, energia e chips de memória. Esta mudança está alinhada com a lógica do setor por detrás do superciclo dos chips de memória.
Validação de Mercado: Dupla Confirmação dos Resultados e das Cotações
Os fundamentais da SanDisk validam esta lógica. As receitas do terceiro trimestre da empresa atingiram 5,95 mil milhões $, um aumento de 97 % face ao trimestre anterior, com receitas de data center a disparar 233 %. As previsões para o quarto trimestre apontam para receitas entre 7,75 e 8,25 mil milhões $, com EPS diluído não-GAAP esperado entre 30–33 $. A SanDisk revelou ainda três acordos de fornecimento de longo prazo NBM (memória baseada em NAND), com mais dois assinados no quarto trimestre.
A subida dos preços continua a reforçar a tese da oferta e procura. Dados da TrendForce mostram que os preços de contratos genéricos de DRAM aumentaram 93–98 % face ao trimestre anterior no primeiro trimestre de 2026, enquanto os preços de contratos de NAND subiram 85–90 %. A Morgan Stanley estima que os preços de DRAM subiram 40 % no trimestre de março a maio, com mais um aumento de 15 % esperado entre junho e agosto; os preços de DRAM para o terceiro trimestre de 2026 deverão subir mais 20–30 %.
Do Setor da Memória ao Terminal de Negociação: Estratégia de Trading de Ações da Gate
Para os investidores que acompanham o superciclo dos chips de memória, participar de forma eficiente no mercado acionista dos EUA é crucial. Em junho de 2026, a Gate lançou oficialmente a funcionalidade de negociação real de ações, estabelecendo uma parceria estratégica com a Alpaca—um Broker-Dealer e empresa de clearing totalmente licenciados nos EUA. Os utilizadores podem investir em mais de 10 000 ações e ETFs cotados na NYSE e NASDAQ diretamente com liquidez em USDT das suas contas Gate.
A negociação de ações na Gate apresenta três vantagens centrais:
Limite ultra-baixo para ações fracionadas. Os investidores podem começar com apenas 0,01 ações, o que significa que basta 1 $ para iniciar a negociação de ações dos EUA. Para ações de preço elevado como a SanDisk, próximas dos 2 000 $ por ação, as ações fracionadas reduzem drasticamente a barreira de entrada para investidores de retalho.
Liquidação direta em USDT. Os utilizadores evitam o processo moroso de "vender cripto → levantar moeda fiduciária → transferência internacional → financiamento do broker". As transações são liquidadas diretamente em USDT, eliminando o maior ponto de fricção para investidores cripto que entram no mercado acionista dos EUA.
Conformidade regulatória. Todas as transações são executadas pela Alpaca, sob total supervisão regulatória dos EUA. Os rendimentos de dividendos e ações corporativas são creditados automaticamente nas contas Gate.
A Gate lançou também a negociação de ações de Hong Kong em junho, cobrindo mais de 1 500 ações cotadas na HKEX. Os utilizadores podem gerir simultaneamente ativos cripto e ações numa interface unificada. Isto posiciona a Gate como um hub de investimento multi-ativo, ligando ativos cripto e mercados financeiros tradicionais através de um ponto de entrada único.
Conclusão
A diferença fundamental entre NAND e HBM na equação da procura de IA resulta das suas funções distintas na arquitetura de computação para IA—o HBM responde às necessidades extremas de largura de banda durante o treino, enquanto o NAND serve como camada de memória expansível para implementações de inferência em larga escala. Estas diferenças moldam as respetivas dinâmicas de oferta e procura, mecanismos de preços e ciclos de benefício.
O superciclo de chips de memória em 2026 é uma transformação estrutural impulsionada pela revolução tecnológica da IA, e não apenas uma flutuação conjuntural de oferta e procura. As restrições físicas do lado da oferta, a mudança para contratos de preços de longo prazo e o fluxo sustentado de capital institucional constituem o núcleo lógico que sustenta este ciclo.
Para os investidores, compreender a lógica diferenciada entre NAND e HBM é essencial para tomar decisões de alocação eficazes no setor de chips de memória. A funcionalidade de negociação de ações da Gate oferece aos utilizadores do ecossistema cripto um canal de participação na valorização dos chips de memória dos EUA com barreiras reduzidas e elevada eficiência—permitindo transações diretas em USDT na SNDK e outros líderes do setor. Este poderá ser o caminho mais curto entre as tendências da indústria de IA e as decisões de investimento pessoal.
